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太阳能多晶硅气氛提纯定向凝固用温梯真空熔炼炉


发布日期:[2008-07-24 13:16:18]    共阅[2243]次

太阳能多晶硅气氛提纯定向凝固用温梯真空熔炼炉 The Temperature-Gradient direction solidification Vacuum Melting Furnace Used for Atmosphere Purification of Solar Grade Polycrystalline Silicon 摘要:江苏中值电子公司提供的气氛提纯定向凝固用温梯真空熔炼炉,采用线性变阻技术,生成垂直、静态、温梯热场,可稳定、低功耗实现静态偏析除杂工艺需要,适用于物理法太阳能多晶硅提纯。 l 气氛提纯定向凝固用温梯真空熔炼炉用途 1975年,德国Wacker公司率先采用物理法成功地制备出太阳能级多晶硅。1980年开始,美、德、日等国家先后投入大量技术力量从事物理法太阳能多晶硅制备工艺的研发。1987年,J.Dietl在《Silicon Processing for PhotovoltaicsⅡ》中,综述了前期的研究成果,提出了物理法制备太阳能多晶硅的技术路线——造渣、酸洗、偏析、真空除磷。1998年,晶体系统公司(Crystal System Inc)在美国能源部 (U.S. Department of Energy)资助下,完成了450Kg级物理法太阳能多晶硅实验,并建设中试生产线;2005年JFE钢铁公司开始建设500吨太阳能多晶硅生产线,于2007年开始营运。 2006年,江苏中值电子公司开始物理法太阳能多晶硅提纯技术的装置平台的研究,于2008年开发出气氛提纯定向凝固用温梯真空熔炼炉,成功用于物理法太阳能多晶硅的实验生产。 气氛提纯定向凝固用温梯真空熔炼炉的特点: ◆采用线性变阻设计技术,生成垂直、静态、温度梯度热场,可稳定、低功耗实现静态偏析除杂工艺; ◆采用PID程序控制技术,精确调节控制晶体生长速度; ◆提供多个进出接口,可实现造渣、吹气等精炼工艺需要。 l 气氛提纯定向凝固用温梯真空熔炼炉技术参数 ◆额定功率:12Kw ◆最高温度:1600℃ ◆常用温度:1500℃ ◆加热方式:石墨电阻加热 ◆加热电源:380V50Hz ◆温度波动:±1℃ ◆极限真空度:1.67×10-2Pa ◆额定充气压力:0.1MPa ◆定向凝固速率:0.01~3.0mm/min ◆石英坩锅尺寸:Φ150×250 ◆坩埚材料:刚玉、石英、石墨坩埚 ◆炉壳几何尺寸:Φ695×785 ◆控制模式:PID自动控制 ◆冷却形式:冷却水循环冷 l 气氛提纯定向凝固用温梯真空熔炼炉安装调试 ◆运输搬动过程中避免倾覆、碰撞设备,完整收集配件资料。 ◆设备落地后,放置平稳,如地面不平应予以修正。 ◆设备应远离强电磁干扰源,设备需有效接地。 ◆电源为AC 380V 50HZ,使用标准进线电缆。 ◆具备一般自来水接头、回水排放沟或循环水箱。 ◆设备使用之前,请按照烘炉操作规程,完成烘炉处理。 ◆设备在正常使用时,请遵循高温岗位操作规范。

 
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